Будущее flash-памяти связано с переходом на графеновые транзисторы

Группа ученых из Университета Райса (г. Хьюстон, США) доложила об успешных испытаниях ячеек памяти на основе графеновых транзисторов. Материал графен был впервые выделен в 2005 году в ходе экспериментов с частицами углерода. С тех пор он считается одним из самых перспективных преемников классической кремниевой микроэлектроники.

Графеновый слой

Исследователи Джеймс Тур (James Tour), Юбао Ли (Yubao Li) и Александр Синицкий (Alexander Sinitskii) сумели создать чип перезаписываемой памяти, построенный на мельчайших графеновых транзисторах размером менее 10 нанометров. При этом плотность размещения данных в 5 раз превысила возможности актуальной flash-технологии.

Степень надежности графеновых ячеек выглядит довольно обнадеживающе, естественно, с поправкой на «сырость» разработки. В процессе лабораторных тестов упомянутые чипы подверглись 20000 циклов обращения к единичному транзистору, однако физические показатели материала остались на прежнем уровне, не продемонстрировав существенной деградации.

Впечатляет и термоустойчивость графеновой памяти: диапазон допустимых температур колеблется от –75 до +200 градусов Цельсия, что позволяет использовать ее в структуре процессорного кристалла, не говоря уже о промышленном применении.

Роль новой технологии в развитии цифровой индустрии мы сможем оценить только через несколько лет.


Источник:
TG Daily

Все новости за 24.11.2008 [ лента ]

Последние обзоры: