Накануне корпорация Intel объявила об успешных испытаниях перспективного типа кэш-памяти FBC (Floating Body Cell). Ее разработка ведется с применением 45-нм техпроцесса и high-K диэлектриков, отлично проявивших себя в процессорах Penryn.

Новый CPU cache имеет гораздо большую плотность, чем традиционные микросхемы SRAM - эта особенность позволит значительно увеличить его суммарный объем в теле будущих "камней". Остальные подробности содержит свежий пресс-релиз Intel:


Итак, размеры одной ячейки FBC в 3-4 раза меньше стандартных. Конструктивно, вместо шести транзисторов, "planar device" второго поколения содержит конденсатор (с напряжением на обоих концах) в сочетании с 45-нанометровым металлическим затвором, под которым находится тончайший 22-нм слой SOI-субстрата.

В данный момент инженеры компании работают с единичной ячейкой FBC. В ближайших планах Intel - работа с цельным кэш-массивом, интегрированным в процессор, а также дальнейшее уменьшение металлического затвора с 45 нм вплоть до 10 нм.

Проще говоря, в ближайшие годы Intel выведет на рынок продукты с ультракомпактным и ультраэкономичным кэшем, что даст могущественной корпорации дополнительное преимущество перед горемычной AMD.


Источник:
bit-tech