Intel открыла некоторые новые подробности о новом 45-нм техпроцессе на основе так называемых high-k диэлектриков. В основе технологии лежит использование гафния: по заявлению компании, применение этого редкоземельного материала позволит уменьшить ток утечки транзистора (эффект, приводящий к повышению энергопотребления и тепловыделения схемы) в 10 раз по сравнению с использованием традиционного диоксида кремния. В сочетании с использованием в контактах затвора транзисторов металла и ставшими типичными особенностями- медные межконтактные соединения, напряженный кремний, диэлектрики с низкой (low-k) диэлектрической проницаемостью в качестве изоляторов медных проводников – Intel заявляет о своем первенстве в использовании новых материалов в технологии изготовления процессоров.
Источник:
vr-zone
Кое-что о 45-и нанометрах
27.01.2007 | 02:12 | Overclocker | обсудить
Обсудить в форуме
Все новости за 27.01.2007 [ лента ]
- Кое-что о 45-и нанометрах
Последние обзоры:
- Обзор и тестирование процессоров AMD Ryzen 7 7800X3D и Ryzen 9 7950X3D. 3D Vertical Cache для гейминга и работы
- Обзор и тестирование 15,6″ портативного монитора ASUS ZenScreen MB16AHG
- От видеокарт к искусственному интеллекту: история компании NVIDIA
- Обзор беспроводной гарнитуры Aula Mountain S6
- Обзор и тестирование материнской платы MSI MPG Z790 EDGE TI MAX WIFI для платформы Intel LGA1700
- Обзор и тестирование игрового 27″ OLED-монитора Acer Predator X27U с частотой обновления 240 Гц
- Обзор и тестирование игрового 27″ WQHD-монитора MSI MPG 271QRX QD-OLED с частотой обновления 360 Гц